非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器
2020-01-08

非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器

本发明揭示用于将修复单元地址信息保存在非易失性磁阻随机存取存储器MRAM中的系统和方法,所述MRAM具有MRAM单元阵列(510)。存储器存取电路(535)耦合到所述MRAM,且经配置以将出故障的单元地址信息(525)存储在所述MRAM中。

图6描绘在示范性修复地址传送循环期间的MRAM电路500。修复地址传送循环发生在(例如)集成有MRAM电路500的装置的启动期间。基于来自TMi夬540的指令,WL_REP550启用一行单元525以从MRAM505检索出故障的单元地址。将出故障的单元地址从单元525传送到闩锁电路600以用于未来使用。闩锁电路600可为一群组正反器电路605A到605N。出故障的单元地址的副本保持在单元地址单元525中。

图解释

技术领域

图7描绘在正常写入循环和读取循环期间的MRAM电路500。在写入循环期间,经由地址输入端口700接收待写入到MRAM505的具有写入地址的传入数据。比较器电路705比较写入地址与闩锁电路600中的至少一个出故障的单元地址以确定写入地址是否为出故障的单元的地址。如果写入地址是出故障的单元的地址,那么将所接收数据写入到冗余单元530,而不是将所接收数据写入到写入地址处的单元。如果写入地址并非出故障的单元的地址,那么改为将传入数据写入到写入地址处的MRAM505。

在修复地址写入循环期间,确定出故障的单元的地址。举例来说,通过典型存储器测试流来俘获MRAM505中的出故障的单元。在识别出故障的单元之后,WL_REP550启用一行单元525,且经由数据输入(DIN)输入555将出故障的单元的地址写入到启用的单元525。另夕卜,也可将芯片和/或测试位信息连同出故障的单元的地址一起存储到单元525中。

图8为将出故障的地址信息和/或芯片/测试位信息存储在单元中的示范性方法的流程图。

图1A和IB描绘磁性隧道结(MTJ)存储元件。

具体实施方式

图1A和IB描绘磁性隧道结(MTJ)存储元件。

具体实施方式

图3A和3B描绘自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。

另外,所属领域的技术人员将了解,结合本文所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为清楚说明硬件与软件的此互换性,上文已大致关于其功能性而描述了各种说明性组件、块、模块、电路及步骤。所述功能性是实施为硬件还是软件取决于特定应用及施加于整个系统的设计约束。所属领域的技术人员可针对每一特定应用以不同方式实施所描述功能性,但所述实施决策不应被解释为导致脱离本发明教示的范围。